图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 |
| 标准包装 | 500 |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 18.5dB |
| 电压 - Test | 26V |
| 当前 Rating | 10µA |
| 噪声系数 | - |
| 当前 - Test | 600mA |
| Power - 输出功率 | 90W |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 包/盒 | TO-272BB |
| 供应商器件封装 | TO-272 WB-4 |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| 包装 | 4TO-272 WB EP |
| 通道模式 | Enhancement |
| 最大漏源电压 | 65 V |
| 最大门源电压 | -0.5|15 V |
| 工作温度 | -65 to 200 °C |
| 安装 | Screw |
| 标准包装 | Tape & Reel |
| 供应商封装形式 | TO-272 W |
| 标准包装名称 | TO-272 W |
| 最大频率 | 960 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最高工作温度 | 200 |
| 输出功率 | 36 |
| Typical Drain Efficiency | 42 |
| 渠道类型 | N |
| 封装 | Tape and Reel |
| 典型功率增益 | 19 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -65 |
| 最大漏源电压 | 65 |
| 引脚数 | 5 |
| 铅形状 | Flat |
| 晶体管类型 | LDMOS |
| 电压 - 额定 | 65V |
| 供应商设备封装 | TO-272 WB-4 |
| 电压 - 测试 | 26V |
| 频率 | 960MHz |
| 增益 | 18.5dB |
| 封装/外壳 | TO-272BB |
| 电流 - 测试 | 600mA |
| 额定电流 | 10µA |
| 功率 - 输出 | 90W |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 产品种类 | Transistors RF MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最低工作温度 | - 65 C |
| 源极击穿电压 | - 0.5 V, 15 V |
| 系列 | MRF5S9080N |
| 单位重量 | 0.067412 oz |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 配置 | Single Dual Drain Dual Gate |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 漏源击穿电压 | 65 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
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